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67194下一代存储技术的希望:反铁磁半导体可以由锗、硅和铬制成

使用电流和激光可以操纵反铁磁材料中的单个磁态,以前的研究已经证明,作者为密歇根理工大学物理系的Ranjit Pati。在纳米线中,锗电子充当未连接的铬原子之间的中间人和交换器。这种机制被称为超交换,还揭示了反铁磁机制。具有锗核和硅壳的掺铬纳米线可以制成反铁磁半导体。

在一项新的研究中,